Вопросы по дисциплине:
Силовая электроника
Сбросить фильтр
| № | Вопрос | Действия |
|---|---|---|
| 511 | Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы | Открыть |
| 512 | Быстродействие IGBT транзистора | Открыть |
| 513 | Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между | Открыть |
| 514 | В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить | Открыть |
| 515 | Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между | Открыть |
| 516 | По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает | Открыть |
| 517 | По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает | Открыть |
| 518 | IGBT транзистор не находит применение в области | Открыть |
| 519 | Высокой температурной устойчивостью не обладает | Открыть |
| 520 | В транзисторе IGBT сочетается | Открыть |