#855765
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
Варианты ответа:
  • p-n-переход
  • униполярный транзистор
  • биполярный транзистор
  • n-p-переход
Тематика: Периферийные устройства Силовая электроника Электрические и электронные аппараты
Курсы в категории: Информационные технологии
📚 Похожие вопросы по этой дисциплине
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярн Ток стока IGBT транзи Эквивалентная крутизна передаточной характер Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми т Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безоп