#855751
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Варианты ответа:
- малой площади коллекторного p-n-перехода
- большой толщины базы
- малой толщины базы
- большой площади коллекторного p-n-перехода
Курсы в категории:
Информационные технологии