#855751
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Варианты ответа:
  • малой площади коллекторного p-n-перехода
  • большой толщины базы
  • малой толщины базы
  • большой площади коллекторного p-n-перехода
Курсы в категории: Информационные технологии